Forskere ved UC Berkeley ved University of California, USA, demonstrerer bruken av Si-CMOS optiske litografiprosesser for tre til fem (III-V) nanocolumnar LED-konstruksjoner, samtidig som de kontrollerer den nøyaktige veksten av disse nanometerene. Er effektiv integrasjon av fotoner i CMOS-kretsen, for å oppnå hurtigchip optisk sammenkoblingsnøkkelelementer.
"Ultracompact Position-Controlled InP Nanopillar-lysdioder på Silicon med Bright Electroluminescence på Telekommunikasjon (" InP nanopillar LED på Silicon med Bright Electroluminescence at Telecommunication ") i" ACS Photonics "Journal publisert i tidsskriftet" ACS Photonics "(InP) nanostruktur-arrays på silisiumkrystaller kan dyrkes på silisiumbaserte betingelser: lav temperatur og ingen katalysator, ifølge bølgelengder, som sier at utbyttetrinnet er så høyt som 90%.
Den posisjonskontrollerbare InP nanocolumnar-gruppen vokser ved 460 ° C. SEM-bildet med lav forstørrelse forstørrer at skalaene i alle bilder tilsvarer 10 μm og 1 μm, 4 μm og 40 μm vekstperioder (tonehøyde)
Forskerne startet først fra ren silisiumskive (111), ved 250 ℃ under 140nm av oksidavsetningen til diameteren på ca. 320nm nanoåpning, avstanden mellom 1 μm og 40 μm nanokolonnekjerneposisjon . Forskere kjemisk gjør overflaten av silisiumkrystallet grovt, og deretter 450-460 ° C i MOCVD-hulrommet i InNanostrukturer. Forskerne fant at konusvinkelen til nanokolonene var signifikant påvirket av veksttemperaturen, og produserte nanoserte nåler ved 450 ° C og nesten vertikale kolonnekonstruksjoner ved 460 ° C.
Basert på disse nanocolumner innbefatter forskerne fem brønn arsenid indium (InGaAs) kvantebrønner i den aktive regionen av pn dioden gjennom kjernekjernen veksten av senteret, danner en elektrisk drevet N-InP / InGaAs MQW / p-InP / p-InGaAs nano-LEDer
Nano-pillar MQW LED monteringsdiagram
På grunn av kjernehalsvækstmønsteret vokser nanokolonnen ut av dens kjerneområde og strekker seg utover oksydåpningen til en sluttdiameter på ca. 1 μm. Således når den n-dopede kjernen i nanokolonnen er i direkte kontakt med n-Si-substratet, vokser den p-dopede skallen på oksydskjermen, eliminerer shuntbanen fra den p-dopede skall og n-Si-substratet. 20/200 nm av Ti / Au passeres gjennom den vippede elektronstrålen til det høyt p-dopede InGaAs kontaktlag, og fullfører aggregatet for å danne en elektrisk kontakt hvor en liten del av nanokolonene blir utsatt og ingen metall blir utsendt som LED lysvindu.
Karakterisert for nanoskala-søyle-lysdioder ved 1510 nm og ca. 30% kvanteffektivitet. Selv om nano-søyle-LED-en har et lite fotavtrykk, men kan utgjøre 4 μ W strøm, hevdet forskerne at dette er fra nanosolar / nanostruktur LED kan oppnå de høyeste lysutgangspostene. Under denne konstruksjonen reduseres den tilgjengelige lysutgangen til 200nW på grunn av samlingseffektiviteten på bare 5%.
Et annet interessant aspekt ved denne studien er at komponenten kan generere optisk forsterkning med elektrisk forspenning og vise sterkt lysrespons under omvendt implantasjon for å oppnå fotonintegrasjon på brikken.
Varme produkter : Mikrobølgeovn sensor lys , lineær belysning armatur , 36W vanntett panel , LED dekorert belysning bar , 72W Panel lampe , lineær fluorescerende lysarmaturer , LED lineær sensor lampe
